ໃນ "ຈັກກະວານວັດສະດຸ" ຂອງການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາ, titanium carbide (TiC), silicon carbide (SiC), ແລະ carbide ຊີມັງ (ໂດຍປົກກະຕິແມ່ນອີງໃສ່ tungsten carbide - cobalt, ແລະອື່ນໆ) ແມ່ນສາມ "ວັດສະດຸດາວ". ດ້ວຍຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງເຂົາເຈົ້າ, ເຂົາເຈົ້າມີບົດບາດສໍາຄັນໃນຂົງເຂດຕ່າງໆ. ມື້ນີ້, ພວກເຮົາຈະເບິ່ງໃນຄວາມເລິກກ່ຽວກັບຄວາມແຕກຕ່າງຂອງຄຸນສົມບັດໃນບັນດາສາມອຸປະກອນການນີ້ແລະສະຖານະການທີ່ພວກເຂົາເຈົ້າດີເລີດ!
I. A Head – to – Head ການປຽບທຽບຄຸນສົມບັດຂອງວັດສະດຸ
| ປະເພດວັດສະດຸ | ຄວາມແຂງ (ຄ່າອ້າງອີງ) | ຄວາມໜາແໜ້ນ (g/cm³) | ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ | ສູງ - ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ | ສະຖຽນລະພາບທາງເຄມີ | ຄວາມທົນທານ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Titanium Carbide (TiC) | 2800 – 3200HV | 4.9 – 5.3 | ທີ່ດີເລີດ (ຄອບງໍາໂດຍໄລຍະຍາກ) | ຄວາມຫມັ້ນຄົງຢູ່ທີ່≈1400℃ | ທົນທານຕໍ່ອາຊິດແລະເປັນດ່າງ (ຍົກເວັ້ນອາຊິດ oxidizing ທີ່ເຂັ້ມແຂງ) | ຂ້ອນຂ້າງຕໍ່າ (ຄວາມເສື່ອມແມ່ນໂດດເດັ່ນກວ່າ) |
| Silicon Carbide (SiC) | 2500 – 3000HV (ສໍາລັບ SiC ceramics) | 3.1 – 3.2 | ດີເດັ່ນ (ຖືກເສີມໂດຍໂຄງສ້າງພັນທະບັດ covalent) | ຄົງທີ່ ≈1600 ℃ (ໃນສະຖານະເຊລາມິກ) | ແຂງແຮງທີ່ສຸດ (ທົນທານຕໍ່ສື່ສານເຄມີສ່ວນໃຫຍ່) | ປານກາງ (ໃນສະພາບເຊລາມິກ, ຜລຶກດຽວມີຄວາມທົນທານ) |
| Cemented Carbide (WC – Co ເປັນຕົວຢ່າງ) | 1200 – 1800HV | 13 – 15 (ສຳລັບ WC – Co series) | ພິເສດ (WC ໄລຍະແຂງ + Co binder) | ≈800 – 1000 ℃ (ຂຶ້ນກັບເນື້ອໃນ Co) | ທົນທານຕໍ່ອາຊິດ, ເປັນດ່າງ, ແລະການສວມໃສ່ | ຂ້ອນຂ້າງດີ (ໄລຍະ Co binder ປັບປຸງຄວາມທົນທານ) |
ການແບ່ງຊັບສິນ:
- Titanium Carbide (TiC): ຄວາມແຂງຂອງມັນຢູ່ໃກ້ກັບເພັດ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນສະມາຊິກຂອງຊຸບເປີ - ແຂງໃນຄອບຄົວ. ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງຂອງມັນຊ່ວຍໃຫ້ການຈັດຕໍາແຫນ່ງທີ່ຊັດເຈນໃນເຄື່ອງມືທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຕ້ອງການ "ນ້ໍາຫນັກ". ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ມັນມີຄວາມ ໜຽວ ສູງແລະມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການແຕກຫັກພາຍໃຕ້ຜົນກະທົບ, ສະນັ້ນມັນ ເໝາະ ສົມກວ່າ ສຳ ລັບສະຖານະການທີ່ທົນທານຕໍ່ການຕັດ / ການສວມໃສ່, ທົນທານຕໍ່ສະຖິດ, ຕໍ່າ. ຕົວຢ່າງ, ມັນມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ເປັນການເຄືອບໃນເຄື່ອງມື. ການເຄືອບ TiC ແມ່ນ super - ແຂງແລະສວມ - ທົນທານຕໍ່, ຄ້າຍຄືການວາງ "ເກາະປ້ອງກັນ" ໃສ່ເຫຼັກທີ່ມີຄວາມໄວສູງແລະເຄື່ອງມື carbide ຊີມັງ. ເມື່ອຕັດເຫລໍກສະແຕນເລດແລະໂລຫະປະສົມ, ມັນສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຫຼຸດຜ່ອນການສວມໃສ່, ຂະຫຍາຍຊີວິດຂອງເຄື່ອງມືຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ໃນການເຄືອບຂອງເຄື່ອງຕັດ milling ສໍາເລັດຮູບ, ມັນເຮັດໃຫ້ການຕັດໄວແລະຫມັ້ນຄົງ.
- Silicon Carbide (SiC): “ນັກສະແດງລະດັບສູງໃນການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມ”! ມັນສາມາດຮັກສາປະສິດທິພາບທີ່ຫມັ້ນຄົງສູງກວ່າ 1600 ℃. ຢູ່ໃນສະພາບເຊລາມິກ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີຂອງມັນແມ່ນຫນ້າສັງເກດແລະມັນ hardly reacts ກັບອາຊິດແລະເປັນດ່າງ (ຍົກເວັ້ນສໍາລັບຈໍານວນຫນ້ອຍເຊັ່ນອາຊິດ hydrofluoric). ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ຄວາມເສື່ອມແມ່ນບັນຫາທົ່ວໄປສໍາລັບວັດສະດຸເຊລາມິກ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, single-silicon carbide crystal (ເຊັ່ນ: 4H – SiC) ໄດ້ປັບປຸງຄວາມເຄັ່ງຄັດແລະກໍາລັງກັບຄືນມາໃນ semiconductors ແລະອຸປະກອນຄວາມຖີ່ສູງ. ຕົວຢ່າງ, SiC - ເຄື່ອງມືເຊລາມິກທີ່ອີງໃສ່ແມ່ນ "ນັກຮຽນຊັ້ນນໍາ" ໃນບັນດາເຄື່ອງມືເຊລາມິກ. ພວກມັນມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ ແລະຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີ. ເມື່ອຕັດໂລຫະປະສົມທີ່ມີຄວາມແຂງສູງ (ເຊັ່ນ: ໂລຫະປະສົມ nickel - ໂລຫະປະສົມ) ແລະວັດສະດຸທີ່ເສື່ອມ (ເຊັ່ນ: ເຫລໍກຫລໍ່), ພວກມັນບໍ່ມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຕິດເຄື່ອງມືແລະມີການສວມໃສ່ຊ້າ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກການ brittleness, ພວກເຂົາເຈົ້າແມ່ນເຫມາະສົມຫຼາຍສໍາລັບການສໍາເລັດຮູບທີ່ມີການຕັດລົບກວນຫນ້ອຍແລະຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ.
- ຊີມັງຄາໄບ (WC – Co): “ຜູ້ຫຼິ້ນລະດັບສູງສຸດໃນສະໜາມຕັດ”! ຈາກເຄື່ອງມືເຄື່ອງກຶງເຖິງເຄື່ອງຕັດເຄື່ອງ CNC, ຈາກເຫຼັກໂມ້ໄປຫາຫີນເຈາະ, ມັນສາມາດພົບໄດ້ຢູ່ທົ່ວທຸກແຫ່ງ. Cemented carbide ທີ່ມີເນື້ອໃນ Co ຕ່ໍາ (ເຊັ່ນ: YG3X) ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການສໍາເລັດຮູບ, ໃນຂະນະທີ່ມີເນື້ອໃນ Co ສູງ (ເຊັ່ນ: YG8) ມີຄວາມຕ້ານທານຜົນກະທົບທີ່ດີແລະສາມາດຈັດການເຄື່ອງຈັກທີ່ຫຍາບຄາຍດ້ວຍຄວາມສະດວກສະບາຍ. ໄລຍະແຂງຂອງ WC ແມ່ນຮັບຜິດຊອບສໍາລັບການ "ທົນ" ການສວມໃສ່, ແລະ Co binder ເຮັດຫນ້າທີ່ຄ້າຍຄື "ກາວ" ເພື່ອຈັບອະນຸພາກ WC ຮ່ວມກັນ, ຮັກສາທັງຄວາມແຂງແລະຄວາມທົນທານ. ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງຂອງມັນບໍ່ດີເທົ່າກັບສອງອັນທໍາອິດ, ການປະຕິບັດໂດຍລວມທີ່ສົມດູນຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບສະຖານະການທີ່ກວ້າງຂວາງຈາກການຕັດເຖິງການສວມໃສ່ - ອົງປະກອບທີ່ທົນທານຕໍ່.
II. ພາກສະຫນາມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນ swing ເຕັມ
1. ພາກສະຫນາມເຄື່ອງມືຕັດ
- Titanium Carbide (TiC): ມັກຈະເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນເຄື່ອງເຄືອບເທິງເຄື່ອງມື! ການເຄືອບ TiC ທົນທານຕໍ່ super - ແຂງແລະສວມໃສ່ - ເຮັດໃຫ້ "ເກາະປ້ອງກັນ" ເທິງເຫຼັກທີ່ມີຄວາມໄວສູງແລະເຄື່ອງມື carbide ຊີມັງ. ເມື່ອຕັດເຫລໍກສະແຕນເລດແລະໂລຫະປະສົມ, ມັນສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຫຼຸດຜ່ອນການສວມໃສ່, ຂະຫຍາຍຊີວິດຂອງເຄື່ອງມືຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ໃນການເຄືອບຂອງເຄື່ອງຕັດ milling ສໍາເລັດຮູບ, ມັນເຮັດໃຫ້ການຕັດໄວແລະຫມັ້ນຄົງ.
- Silicon Carbide (SiC): “ນັກຮຽນເກັ່ງ” ໃນບັນດາເຄື່ອງມືເຊລາມິກ! ເຄື່ອງມືເຊລາມິກທີ່ອີງໃສ່ SiC ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ ແລະຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີ. ເມື່ອຕັດໂລຫະປະສົມທີ່ມີຄວາມແຂງສູງ (ເຊັ່ນ: ໂລຫະປະສົມ nickel - ໂລຫະປະສົມ) ແລະວັດສະດຸທີ່ເສື່ອມ (ເຊັ່ນ: ເຫລໍກຫລໍ່), ພວກມັນບໍ່ມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຕິດເຄື່ອງມືແລະມີການສວມໃສ່ຊ້າ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກການ brittleness, ພວກເຂົາເຈົ້າແມ່ນເຫມາະສົມຫຼາຍສໍາລັບການສໍາເລັດຮູບທີ່ມີການຕັດລົບກວນຫນ້ອຍແລະຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ.
- ຊີມັງຄາໄບ (WC – Co): “ຜູ້ຫຼິ້ນລະດັບສູງສຸດໃນສະໜາມຕັດ”! ຈາກເຄື່ອງມືເຄື່ອງກຶງເຖິງເຄື່ອງຕັດເຄື່ອງ CNC, ຈາກເຫຼັກໂມ້ໄປຫາຫີນເຈາະ, ມັນສາມາດພົບໄດ້ຢູ່ທົ່ວທຸກແຫ່ງ. Cemented carbide ທີ່ມີເນື້ອໃນ Co ຕ່ໍາ (ເຊັ່ນ: YG3X) ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການສໍາເລັດຮູບ, ໃນຂະນະທີ່ມີເນື້ອໃນ Co ສູງ (ເຊັ່ນ: YG8) ມີຄວາມຕ້ານທານຜົນກະທົບທີ່ດີແລະສາມາດຈັດການເຄື່ອງຈັກທີ່ຫຍາບຄາຍດ້ວຍຄວາມສະດວກສະບາຍ.
2. Wear – ຊ່ອງຂໍ້ມູນອົງປະກອບທີ່ທົນທານ
- Titanium Carbide (TiC): ເຮັດໜ້າທີ່ເປັນ “ພັຍ – ທົນທານຕໍ່ແຊ້ມ” ໃນແມ່ພິມທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ! ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ໃນ mold metallurgy ຜົງ, ເມື່ອກົດຝຸ່ນໂລຫະ, ແຜ່ນໃສ່ TiC ແມ່ນສວມ - ທົນທານແລະມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າພາກສ່ວນທີ່ຖືກກົດຂື້ນມີຂະຫນາດທີ່ຖືກຕ້ອງແລະຫນ້າດິນທີ່ດີ, ແລະບໍ່ມີຄວາມສ່ຽງທີ່ຈະ "ຜິດປົກກະຕິ" ໃນລະຫວ່າງການຜະລິດຈໍານວນຫລາຍ.
- Silicon Carbide (SiC): ໄດ້ຮັບດ້ວຍ "ສອງເທົ່າ" ຂອງການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ! Rollers ແລະ bearings ໃນ furnace ອຸນຫະພູມສູງທີ່ເຮັດຈາກ SiC ceramics ບໍ່ອ່ອນລົງຫຼືສວມໃສ່ເຖິງແມ່ນວ່າສູງກວ່າ 1000 ℃. ນອກຈາກນີ້, nozzles ໃນອຸປະກອນ sandblasting ທີ່ເຮັດດ້ວຍ SiC ສາມາດທົນຜົນກະທົບຂອງ particles ຊາຍ, ແລະຊີວິດການບໍລິການຂອງເຂົາເຈົ້າແມ່ນຫຼາຍເທົ່າຂອງ nozzles ເຫຼັກທໍາມະດາ.
- ຊີມັງຄາໄບ (WC – Co): “ຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານການສວມໃສ່ທີ່ຫຼາກຫຼາຍ – ທົນທານຕໍ່”! ແຂ້ວ carbide ຊີມັງໃນເຄື່ອງເຈາະຂຸດຄົ້ນບໍ່ແຮ່ສາມາດຂັດຫີນໂດຍບໍ່ມີຄວາມເສຍຫາຍ; ເຄື່ອງຕັດຄາໂບໄຮເດຣດທີ່ເຮັດດ້ວຍຊີມັງຢູ່ໃນເຄື່ອງມືເຄື່ອງປ້ອງກັນສາມາດທົນທານຕໍ່ດິນແລະຫີນຊາຍ, ແລະສາມາດ "ຮັກສາຄວາມສະບາຍ" ເຖິງແມ່ນວ່າຫຼັງຈາກລົງອຸໂມງຫຼາຍພັນແມັດ. ເຖິງແມ່ນວ່າລໍ້ eccentric ໃນມໍເຕີສັ່ນສະເທືອນໂທລະສັບມືຖືແມ່ນອີງໃສ່ carbide ຊີມັງສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ເພື່ອຮັບປະກັນການສັ່ນສະເທືອນທີ່ຫມັ້ນຄົງ.
3. ສາຂາອີເລັກໂທຣນິກ/ເຊມິຄອນດັກເຕີ
- Titanium Carbide (TiC): ປະກົດຢູ່ໃນບາງອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກທີ່ຕ້ອງການອຸນຫະພູມສູງ ແລະທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ສູງ! ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ໃນ electrodes ຂອງທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີພະລັງງານສູງ, TiC ມີຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ, ການນໍາໄຟຟ້າທີ່ດີ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ເຮັດໃຫ້ການເຮັດວຽກທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະຮັບປະກັນການສົ່ງສັນຍານເອເລັກໂຕຣນິກ.
- Silicon Carbide (SiC): ເປັນ “ທີ່ມັກໃໝ່ໃນ semiconductors”! ອຸປະກອນ SiC semiconductor (ເຊັ່ນ: ໂມດູນພະລັງງານ SiC) ມີທີ່ດີເລີດສູງ - ຄວາມຖີ່, ແຮງດັນສູງ, ແລະການປະຕິບັດອຸນຫະພູມສູງ. ໃນເວລາທີ່ນໍາໃຊ້ໃນຍານພາຫະນະໄຟຟ້າແລະ inverters photovoltaic, ພວກເຂົາເຈົ້າຢ່າງຫຼວງຫຼາຍສາມາດປັບປຸງປະສິດທິພາບແລະຫຼຸດຜ່ອນປະລິມານ. ນອກຈາກນີ້, SiC wafers ແມ່ນ "ພື້ນຖານ" ສໍາລັບການຜະລິດຊິບທີ່ມີຄວາມໄວສູງ - ຄວາມຖີ່ແລະອຸນຫະພູມສູງ, ແລະຄາດວ່າຈະສູງໃນສະຖານີຖານ 5G ແລະ avionics.
- ຊີມັງຄາໄບ (WC – Co): “ເຄື່ອງມືຄວາມຊັດເຈນ” ໃນການປຸງແຕ່ງເອເລັກໂຕຣນິກ! ເຄື່ອງເຈາະຊີມັງ carbide ສໍາລັບການເຈາະ PCB ສາມາດມີເສັ້ນຜ່າກາງຂະຫນາດນ້ອຍເປັນ 0.1mm ແລະສາມາດເຈາະໄດ້ຊັດເຈນໂດຍບໍ່ມີການ breaking ໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍ. ແຜ່ນຊີມັງ carbide inserts ໃນ molds ການຫຸ້ມຫໍ່ chip ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງແລະທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່, ຮັບປະກັນການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ຖືກຕ້ອງແລະຫມັ້ນຄົງຂອງ chip pins.
III. ວິທີການເລືອກ?
- ສໍາລັບຄວາມແຂງທີ່ສຸດແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ການສວມທີ່ຊັດເຈນ→ ເລືອກ titanium carbide (TiC)! ຍົກຕົວຢ່າງ, ໃນການເຄືອບແມ່ພິມທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະການເຄືອບເຄື່ອງມືແຂງ, ມັນສາມາດ "ທົນ" ການສວມໃສ່ແລະຮັກສາຄວາມແມ່ນຍໍາ.
- ສໍາລັບການທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີ, ຫຼືເຮັດວຽກກ່ຽວກັບອຸປະກອນ semiconductors / ສູງ - ຄວາມຖີ່→ ເລືອກ silicon carbide (SiC)! ມັນເປັນສິ່ງທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ສໍາລັບອົງປະກອບເຕົາເຜົາທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະຊິບພະລັງງານ SiC.
- ສໍາລັບການປະຕິບັດໂດຍລວມທີ່ສົມດູນ, ກວມເອົາທຸກສິ່ງທຸກຢ່າງຈາກການຕັດເຖິງການສວມໃສ່ - ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ທົນທານຕໍ່→ ເລືອກ carbide ຊີມັງ (WC – Co)! ມັນເປັນ "ເຄື່ອງຫຼິ້ນທີ່ຫຼາກຫຼາຍ" ທີ່ກວມເອົາເຄື່ອງມື, ເຄື່ອງເຈາະ, ແລະສ່ວນທີ່ທົນທານຕໍ່.
ເວລາປະກາດ: 09-09-2025
